放大微弱电平信号时常遇到的是信噪比(S/N)问题。图1是标准的2级直接耦合低
频放大器电路，若精心设计就可得到较高的S/N。晶体管的放大倍数由h_FE和集电极负载电
阻决定，第1级VT1电路尽量设计成较大的放大倍数。为此，R_C1选用较大阻值，V_T1选用较
高hFE晶体管。

图1　标准的2级直接耦合的低频放大器电路

　　若测量出输入噪声电流I_n与噪声电压E_n，则可计算出信号源最佳内阻R_OPT：

　　然而，实际测量输入噪声电流I_n与噪声电压E_n比较麻烦，因此，可调整集电极电流I_c1，使输出噪声电压最小。

　　另外，为获得较高S/N，要使信号源阻搞（传感器阻抗）与放大器的信号源最佳内阻R_OPT相等，首选需要调整传感器的形式。还应注意的是，S/N与反馈量无关。若负反馈量大，S/N虽得到改善，噪声降低，但放大倍数也降低。因此，降低反馈回路的阻抗也很重要。

　　图2是高跨导g_m低噪声J－FET并联连接的低噪声前置放大器电路。若J－FET并联个数为N，则输出噪声就降为的J－FET电压增益A_V为：