摘要：
本文首先介绍了关于 EMI 常规知识以及在开关电源中使用的各种缓冲吸引电路。然后介绍了在 EMI 中和传导相关的共模及差模电流产生的原理，静点动点的概念，并详细的说明了在变压器的结构中使用补偿设计的方法。最后介绍了 EMI 的发射产生的机理和频率抖动及共模电感的设计。
1 EMI 常识
在开关电源中，功率器件高频开通关断的操作导致电流和电压的快速的变化是产生EMI的主要原因。在电路中的电感及寄生电感中快速的电流变化产生磁场从而产生较高的电压尖峰：
uL=LdiL/dt
在电路中的电容及寄生电容中快速的电压变化产生电场从而产生较高的电流尖峰：
ic=Cduc/dt
图 1： Mosfet 电压电流波形
磁场和电场的噪声与变化的电压和电流及耦合通道如寄生的电感和电容直接相关。直观的理解， 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt及减小相应的杂散电感和电容值可以减小由于上述磁场和电场产生的噪声，从而减小EMI干扰。
1.1 减小电压率du/dt和电流变化率di/dt
减小电压率du/dt和电流变化率di/dt可以通过以下的方法来实现：改变栅极的电阻值和增加缓冲吸引电路，如图2和图3所示。增加栅极的电阻值可以降低开通时功率器件的电压变化率。
图 2：栅极驱动电路
图3中，基本的RCD箝位电路用于抑止由于变压器的初级漏感在开关管关断过程中产生的电压尖峰。L1，L2 和L3可以降低高频的电流的变化率。L1和L2只对特定的频带起作用。L3对于工作于CCM模式才有效。 R1C1，R2C2，R3C3，R4C4 和 C5可以降低相应的功率器件两端的高频电压的变化率。
所有的这些缓冲吸引电路都需要消耗一定功率，产生附加的功率损耗，降低系统的效率；同时也增加元件的数日和PCB的尺寸及系统的成本，因此要根据实际的需要选择使用。
图 3：缓冲吸引电路
1.2 减小寄生的电感和电容值
开关器件是噪声源之一，其内部引线的杂散电感及寄生电容也是噪声耦合的通道，但是由于这些参数是器件固有的特性，电子设计和应用工程师无法对它们进行优化。寄生电容包括漏源极电容和栅漏极的Miller电容。
变压器是另外一个噪声源，而初级次级的漏感及初级的层间电容、次级的层间电容、初级和次级之间的耦合电容则是噪声的通道。初级或次级的层间电容可以通过减小绕组的层数来降低，增大变压器骨架窗口的宽度可在减小绕组的层数。分离的绕组如初级采用三明治绕法可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面积，因而增大了初级和次级的耦合电容。采用铜皮的Faraday屏蔽可减小初级与次级间的耦合电容。Faraday屏蔽层绕在初级与次级之间，并且要接到初级或次级的静点如初级地和次级地。Faraday屏蔽层使初级和次级的耦合系数降低，从而增加了漏感。
2 传导干扰
2.1 LISN
EMI测试由传导干扰CE和辐射干扰RE组成，这两种噪声分开的检测和评价。对于不同的应用，不同的地区和国家都有相应的标准，这些标准对于频段的宽度和限制值都作了十分明确的定义。例如对于手机充电器属于FCC15/EN55022 CLASS B，传导干扰测量的频率范围为0.15MHz到30MHz，辐射干扰测量的频率范围为30MHz到1GHz 。具体的内容可以参考相关的标准FCC，CIRPR和EN等。
传导干扰指在输入和输出线上流过的干扰噪声，测试的方法见图4所示。待测试的设备EUT通过阻抗匹配网络LISN（或人工电源网络）连接到干净的交流电源上。
图4： LISN 及EUT测试
LISN的作用如下：
- 隔离待测试的设备EUT和交流输入电源，滤除由输入电源线引入的噪声及干扰。
- EUT产生的干扰噪声依次通过LISN内部的高通滤波器和50?电阻，在50 ?电阻上得到相应的信号值送到接收机进行分析。
由图4可见：EUT放置在绝缘的测试台上，测试台下部装有接地良好的铁板，测试台及铁板的尺寸和安装都在特定的规定。
传导干扰来源于差模电流噪声和共模电流噪声，这两种类型的噪声干扰见图5所示。Y电容直接和传导干扰相关。
图5：差模电流和共模电流
差模电流在两根输入电源线间反方向流动，两者相互构成电流回路，即一根作为差模电流的源线，一根作为差模电流的回线。共模电流在两根输入电源线上同方向流动，它们分别与大地构成电流回路，即同时作为共模电流的源线或回线。
2.2 变压器模型
变压器所包含的寄生电容的模型见图6中所示。
图6：变压器寄生电容
① Cp：初级绕组的层间电容。
② Coe：输出线到大地的电容。
③ Cme：磁芯到大地的电容。
④ Ca：最外层绕组到磁芯的电容。
⑤ Ct：辅助绕组到次级绕组的电容。
⑥Cs：初级绕组到次级绕组的电容.
⑦ Cm：最内层初级绕组到磁芯的电容。
2.3 差模电流
差模电流噪声主要由功率开关器件的高频开关电流产生。
① 功率器件开通
在功率器件开通瞬间存在电流的尖峰，图7所示。
图7：开通电流尖峰
开通电流尖峰由三部分组成：
(1) 变压器初级绕组的层间电容充电电流。
(2) MOSFET漏源极电容的放电电流。
(3) 工作在CCM模式的输出二极管的反向恢复电流。
开通电流尖峰不能通过输入滤波的直流电解电容旁路，因为输入滤波的直流电解电容有等效的串联电感ESL和电阻ESR，这样就产生的差模电流在电源的两根输入线间流动。注意：MOSFET漏源极的电容的放电电流对差模电流噪声无影响，但会产生辐射干扰。
图 8：功率器件开通瞬间的差模电流
功率器件开通瞬间形成的差模电流为IDM 为：
IDM＝ICp+nIR－ICin
对于变压器而言，初级绕组两端所加的电压高，初级绕组的层数少，层间的电容越少，然而在很多应用中由于骨架窗口宽度的限制并为了保证合适的饱和电流，初级绕组通常用多层结构。本设计针对四层的初级绕组结构进行讨论。
图9：开关管开通时初级绕组层间电流流动方向
对于常规的四层初级绕组结构，在开关管开通和关断的过程中，层间的电流向同一个方向流动。在图9中，在开关管开通时，源极接到初级的地，B点电压为0，A点电压为Vin，基于电压的变化方向，初级绕组层间电容中电流流动方向向下，累积形成的差模电流值大。
