晶体管音频前置放大器电路如图1所示。若负载阻抗为5kΩ，输出电压有效值为10V，增益为16.5dB。先设定电源电压、若输出蜂值电压为
时，考虑电阻与晶体管等的电压损耗，则电源电压设为±20V。再确定输出级的直流电流，因负载为5kΩ，最大输出电压为10V，则输出峰值电流Ip为：
加上电流余裕量，电流设定为5mA。
图1 晶体管音频前置放大器电路
对于电阻R11和R12，考虑到热稳定性其阻值越大越好，但考虑到电压损耗其阻值越小越好，一般采用几十Ω到100Ω之间，此电路采用47Ω。
VT2和VT1为VT4和VT5的基极提供足够的驱动电流，但高频时大部分电流流经相位补偿电容C3~C5。因此，流经VT2和VT5的电流设为5mA。决定此电流大小的电路如图2所示。若电流设为5mA，则R9阻值为：
图2 恒流源电路
在提供VT3基极偏置电路，即R8，VD2和VD3中，流经的电流需要比VT3基极电流大很多。若VT3的hFE设为100，基极电流为50uA，则VT3基极偏置电路一般要流经其10倍以上的电流。加上余裕量，同时考虑基极限抗的降低．电流要设为2mA左右，为此，R6为：
因此，R6选用20kΩ电阻。
C7没有特别的用途，只是用于降低VT3的基极交流阻抗，C7值是根据VD2和VD3的动态电阻Rd与其时间常数T(T=C7Rd)求得，其频率(1/2πT)的设定要低于视频，理想值为470uF以上。然而，其值过大，电源接通时到工作稳定的时间加长，一般取10uF~100uF。
下面确定R10的阻值，VT4与VT5的基圾发射极间电压VRE约等于VD4和VD5的正向压降。因此，R11和R12上的电压之和约等于R10上的电压。因此，R10为：
然而，实际上二极管的正向压降稍大于晶体管的VBE，Rl0选用82Ω。
VT2的发射极接入电阻R6，其阻值在大信号时使正负信号同时限幅采用与R9相同的阻值，即为120Ω若使交流阻抗减小，在R6上并联一个100uF的电容C6。
下面选定第1级电路参数。流经差动放大器的电流需要考虑噪声指数NF(Noise Figure)。图3示出2SC2259的噪声指数特性。在实际的电路中，信号源内阻为1kΩ~几kΩ，在此范围内要使用NF低的电流值。这里，每1只管子设为1mA(VT8的集电极电流为2mA)。因此，按上述方法同样计算得R16＝300Ω，R17＝22kΩ，C8＝10uF~100uF。
图3 2SC2259的噪声指数特性
R2和R15用于平衡电流镜像电路VT7内2个晶体管VBE的不对称性，其上有几百mV~1V的电压降，电流约1mA，因此，阻值选390Ω另外，要注意的是，VT7左侧晶体管的集电极发射极间电压VCE不能到饱和电压，因为，VCE接近0，则电流放大倍数就会变得很小。
R4和R5由增益决定，即(R4+R5)/R4＝6.7(倍)。从降低噪声看，阻值越小越好，但从放大器的负载考虑，阻值不能过小。这里选R4＝1.5kΩ，R5＝9.1kΩ。
C2用于抑制输出失调电压，对信号来说其值可以忽赂，这里选C2＝220uF。 R1理想值与R5相同，但它是前级负载．不能使负载过重。音调控制放大器的输出阻抗取足够低．选R1=R5＝9.1kΩ。无论如何不能使前级为低阻抗。若需要Rl取较大值时，输入差动电路采用FET管即可。C1值对信号来说可忽略．与Rl构成的时间常数Cl R1大，选C1＝22uF。R19是为了使输入端的直流电位为0，选R19＝100kΩ。电阻R18和电容C9用于校正选R18＝470Ω，C9＝220pF。另外，选C10＝10uF，R20＝470Ω，R2l＝470kΩ，相位补偿电容C5＝100pP，C3＝L4＝47pF。
