下图示出频率为0~100MHz，驱动50Ω负载的缓冲放大器电路，由于办入部分采用了FET，具有输人阻抗高、偏置电流小的待点。电路中使用的2N5912SP在100 MHz时具有足够的跨导，可以使用到500us(源电阻为200Ω)较低值，电流只有10 mA~20 mA，不会因后级负载影响频率特性。另外，为使漂移电压小，需要采用FET对管。

高输入阻抗缓冲器电路

　　EL2001在50 MHz时具有-3dB特性，而EL2003在100MHz时具有-3dB特性的缓冲放大器。

　　高输入阻抗缓冲器的特性：增益为0.5倍(-6dB)．增益误差为21dB，输入阻抗为10MΩ/15pF，秸出偏置电流为10 pA以下，输出漂移电压为5mV(最大40mV)，输出阻抗为50Ω，输出电乎为±5V以下(50Ω)，电源为±15V，10mA~120mA。

　　采用EL2003时，空载电流约为30 mA，DG(0.1^o)和DP(0.1%)特性都比较好。但是，发热较大，连续使用时，为了安全地降额到70%左右，50Ω负载时连续输出峰-峰值为7V的正弦波。

　　若输入接入30 cm以上的同轴电缆，在100 MHz时就可能产生振荡，为此，需用低阻抗驱动输入。