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晶体管MC磁头放大器电路
 
文章编号:
091120165404
文章分类: 电路 功放
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关 键 词: MC,磁头
文章来源:
百合电子工作室收集整理
摘 要:
磁头放大器能处理极其微弱的信号,因此,必须采用低噪声器件,最适宜的器件是...

  磁头放大器能处理极其微弱的信号,因此,必须采用低噪声器件,最适宜的器件是2SA1114和2SC2602晶体管。图1示出MC放大器电路实例,它由前级、第2级、驱动级和输出级等组成。为减小号源内阻,前级采用发射极接地的推挽结构,图2示出其实例,若要获得高直流稳定度,采用图2(b)所示电路。为抑制噪声,电路中VTl和VT2分别采用3个超低噪声晶体管并联,电阻R3和R4为其负载,发射极接的R5和B6为负反馈电阻。

图1 MC磁头放大器电路实例

图2 前极电路结构

  第2级为发射极接地的放大电路,图1中,在VTl和VT8的集电极之间构成后级偏置电路。为抑制噪声,驱动与输出级中的负反馈电路采用较小阻值的电阻这样就加重了输出级的负载。为克服这一矛盾需增加驱动级,这样既提高了开环增益,又能较好地驱动负载。

  最大输出电压为2V~3V,因此,电源电压设为110V。为确保足够高的信噪(S/N)比,选R5=R6=2.7Ω。为获得25倍的增益,选R7=R8=66Ω(330 × 2)。

  前级VT1~VT3和VT4~VT6为3个晶体管并联,发射极分别接入2.2Ω大的均流电阻,此电阻与输入的直流电阻成为热噪声源,为此,阻值要尽量小。

  图1电路中,VD1同VT1或Vt12为热耦合,使用STV2H。RP1用于调整治出级的空载电流。VTl~VT3采用2SA1114晶体管,VT4~VT6采用2SC2602晶体管,VT7和VT10采用2SA1145晶体管,VT8和VT9采用2SC2705晶体管.而VT11采用2SC2275,VT12采用2SA985,并要接相应的散热器。

 
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