晶体管组成的宽带放大器电路

　　上图所示是由晶体管组成的宽带放大器电路，图(a)与图(b)的电路基本相同，但VTl~VT6晶体管的参数不同。如图(a)所示的电路中，VT1~VT6采用较大h_FE(250以上)、f_T为100MHz左右、集电极输出阻抗高的晶体管；如图(b)所示电路中，VTl~VT6采用h_FE为100、f_T为1 GHz左右、集电极输出阻抗比较低的晶体管。VT7~VT10构成射随电路，在图(a)与图(b)中采用相同参数的晶体管。

　　 如图(a)所示的电路中，晶体管的hFE大，因此，g_m变大。另外，VT4、VT6的集电极输出阻抗高。因此．a点的电位非常高。所以．采用1级放大器也能获得85dB的直流增益。但晶体管不是高频管，频率在2 MHz附近其特性会变坏，大于2 MHz频率时，频率特性按12dB/oct进行衰减。

　　如图(b)所示的电路中，VT1和VT2采用高频FET，VT3~VT6采用高频晶体管，总的g_m不太大。另外，VT4和VT6的集电极输出阻抗不太高，总增益只有50dB，但开环特性好。